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BUZ31 H /Infineon Technologies/分立半导体产品
BUZ31 H的规格信息
BUZ31 H的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：SIPMOS®

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14.5A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 9A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1120pF @ 25V

功率 - 最大值：95W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：PG-TO220-3

其它名称：BUZ31HBUZ31HXKSA1SP000682992

供应商BUZ31 H
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17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BUZ31 H3045A深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市赛美科科技有限公司BUZ31 H3045A广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市仓实科技有限公司BUZ31 H3045A深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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集好芯城BUZ31 H3045A深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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Digi-Key 得捷电子		BUZ31 HInfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 200V Transistor1000+:￥6.48
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Digi-Key 得捷电子		BUZ31 H3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK$1.26000
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